Si3n4 кабального карбида кремния керамические пластины для челночного печи

Огнеупорность (℃): Огнеупорность> 2000
Особенность: Материалы Долгого Времени, Мгновенный Материал
Тип: Огнеупорный Материал
Форма: Плита
Материал: ниц
содержание sio2: выше 85%

Products Details

Основная Информация.

содержание mgo
0.2-1.3%
приложение
огнеупорные изоляционные материалы футеровки печи
плотность (кг/м3 )
2.2–3,15 г/см3
функция 1
низкая теплопроводность, низкий теплоотвод
функция 2
хорошая термостойкость
функция 3
разумная цена
Транспортная Упаковка
Standard One
Характеристики
Индивидуальные
Торговая Марка
TK BRICKS
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
381600000
Производственная Мощность
3000000 PCS Per Month

Описание Товара

Реакция кабального карбид кремния керамические SIC износа плиты гильзы для циклона

Карбид кремния печи shelve изготовлен из высококачественного synthetically сделал Зерна карбида кремния (SIC) , содержащий SiC72 до 99 %.
И отдельных компонентов связующего вещества, включая окисление крепостной, Si3N4 крепостной , Sialon крепостной , глиняные кабального и т.д.
Устройство обладает высокой температуры, высокой прочности, громкости и теплопроводности, кислоты,
Щелочной и разнообразные расплавленного металла эрозии способности и т.д. широко используются в цветных алюминиевый бак, цинк вертикального бака;
Металлургической промышленности в доменных печах, керамические печи полки панели,


Функции:
1. Устойчив к высокой температуре
2. Различные размеры
3. Конкурентоспособные цены
4. Маленький tolorence: +-0.005мм
5. Хорошее качество
6. Точный срок поставки

Пункт RbSIC SiSIC  
Чистоты (%) > 98 >90
Плотность (г/см3 ) 3.1-3.2 >3,05
Степень детализации (Um) 0.5-0.7 8--20
Жесткость (АПЧ) ≥90 ≥90
 Прочность изгиба (МПА) 400-580 350-450
 Прочности при сжатии (МПА) 3900 >2500
Трещины  (МПА) 3.05-4.6 4.3
Модуль  упругости (ГПС) 380-410 420
Тепловой comductivity 102.6 35-110
Коэффициент  теплового расширения(1/ºC) 4.02×10-6 4.3 № 10-6
 Соотношение Пуассона   0,14 0,15
Откройте пористость (%) 7--8 <0,1
Температура применения  (C) 1800 1410
Пункт SSIC
SIC чистоты (%) >98
Насыпной плотностью (г/см3 ) 3.06-3.15
Max.  Службы Temp.(C) 1800
 Прочности при сжатии (МПА) ≥3900
 Прочность изгиба (МПА) 400-580
Трещины фиксации (МПА) 3.05-4.6
Молодые по модулю (ГПС) 380-410
Теплопроводность   W/MK 102.6
Тепловое расширение a(1/ºC)   4.02x10
 Соотношение Пуассона 0,14
Очевидной пористость % 0

Фотографии продукции:

Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln
Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln

Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln

Si3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle KilnSi3n4 Bonded Silicon Carbide Ceramic Plates for Shuttle Kiln

Свяжитесь с нами

Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже мы ответим вам в течение 24 часов